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ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135140A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  松岡 隆志
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II-VI族半導体レーザおよびその形成法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995074424A, 申请日期: 1995-03-17, 公开日期: 1995-03-17
发明人:  松岡 隆志;  川口 悦弘;  大野 哲一郎
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994054825B2, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 1994-07-20
发明人:  松岡 隆志;  柴田 典義
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II-VI族半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997008409A, 公开日期: 1997-01-10
发明人:  大野 哲一郎;  松岡 隆志;  大木 明
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