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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3432968B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-08-04
发明人:  手塚 勉
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3219823B2, 申请日期: 2001-08-10, 公开日期: 2001-10-15
发明人:  黒部 篤;  手塚 勉;  定政 哲雄;  櫛部 光弘
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2941463B2, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-08-25
发明人:  手塚 勉;  黒部 篤;  川久 慶人
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994097566A, 申请日期: 1994-04-08, 公开日期: 1994-04-08
发明人:  阪口 眞弓;  古山 英人;  高岡 圭児;  櫛部 光弘;  手塚 勉;  吉田 春彦
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半導体レーザアレイ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994097578A, 申请日期: 1994-04-08, 公开日期: 1994-04-08
发明人:  手塚 勉;  高橋 茂樹
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