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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4179424B2, 申请日期: 2008-09-05, 公开日期: 2008-11-12
发明人:  幡 俊雄
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氮化物基化合物半导体发光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100388518C, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2008-05-14
发明人:  幡俊雄
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4083866B2, 申请日期: 2008-02-22, 公开日期: 2008-04-30
发明人:  幡 俊雄;  伊藤 茂稔
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氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100364119C, 申请日期: 2008-01-23, 公开日期: 2008-01-23
发明人:  幡俊雄
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3988961B2, 申请日期: 2007-07-27, 公开日期: 2007-10-10
发明人:  幡 俊雄;  猪口 和彦
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3963233B2, 申请日期: 2007-06-01, 公开日期: 2007-08-22
发明人:  幡 俊雄
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3957359B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15
发明人:  幡 俊雄
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化合物半導体発光素子の製造方法および化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007116201A, 申请日期: 2007-05-10, 公开日期: 2007-05-10
发明人:  幡 俊雄
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3927646B2, 申请日期: 2007-03-09, 公开日期: 2007-06-13
发明人:  幡 俊雄
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半导体发光器件、其结构单元及制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1925177A, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2007-03-07
发明人:  幡俊雄
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