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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000124552A, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-04-28
发明人:  竹内 哲也;  金子 和;  山田 範秀;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
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窒化物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998233529A, 申请日期: 1998-09-02, 公开日期: 1998-09-02
发明人:  山田 範秀;  中川 茂;  山岡 慶文;  竹内 哲也;  金子 和
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光半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999112029A, 公开日期: 1999-04-23
发明人:  竹内 哲也;  山田 範秀;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇
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