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氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
发明人:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩;  赤崎勇
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氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16
发明人:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩;  赤崎勇
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