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半導体レ—ザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2519879B2, 申请日期: 1996-05-17, 公开日期: 1996-07-31
发明人:  大場 康夫;  山本 基幸;  管原 秀人;  石川 正行;  渡辺 幸雄
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半導体レ-ザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996015228B2, 申请日期: 1996-02-14, 公开日期: 1996-02-14
发明人:  大場 康夫;  山本 基幸;  管原 秀人;  石川 正行;  渡辺 幸雄
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化合物半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995111967B2, 申请日期: 1995-11-29, 公开日期: 1995-11-29
发明人:  長坂 博子;  渡辺 幸雄;  岡島 正季;  山本 基幸;  武藤 雄平;  茂木 直人
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995030186A, 申请日期: 1995-01-31, 公开日期: 1995-01-31
发明人:  栗原 春樹;  山本 基幸
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内部狭窄型半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994037393A, 申请日期: 1994-02-10, 公开日期: 1994-02-10
发明人:  粒来 保彦;  山本 基幸
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993152685A, 申请日期: 1993-06-18, 公开日期: 1993-06-18
发明人:  山本 基幸
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半導体レ—ザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995193319A, 公开日期: 1995-07-28
发明人:  山本 基幸;  佐藤 文明
Adobe PDF(65Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/26