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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3075512B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14
发明人:  河西 秀典;  林 寛;  森本 泰司;  兼岩 進治;  山口 雅広
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3038186B2, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-05-08
发明人:  河西 秀典;  林 寛;  森本 泰司;  兼岩 進治;  山口 雅広
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2688897B2, 申请日期: 1997-08-29, 公开日期: 1997-12-10
发明人:  松本 晃広;  種谷 元隆;  松井 完益;  森本 泰司;  兼岩 進治;  山口 雅広
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2558767B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-27
发明人:  河西 秀典;  林 寛;  矢野 盛規;  森本 泰司;  山口 雅広
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996056051A, 申请日期: 1996-02-27, 公开日期: 1996-02-27
发明人:  河西 秀典;  林 寛;  森本 泰司;  兼岩 進治;  山口 雅広
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半導体レーザー装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995097692B2, 申请日期: 1995-10-18, 公开日期: 1995-10-18
发明人:  河西 秀典;  林 寛;  森本 泰司;  兼岩 進治;  山口 雅広
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