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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2827605B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  小野 健一;  山下 光二
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996116127A, 申请日期: 1996-05-07, 公开日期: 1996-05-07
发明人:  吉田 一臣;  山下 光二
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995099368A, 申请日期: 1995-04-11, 公开日期: 1995-04-11
发明人:  香川 仁志;  山下 光二
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