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半導体レーザ光源及びこれを用いた半導体レーザ加工装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4048016B2, 申请日期: 2007-11-30, 公开日期: 2008-02-13
发明人:  ラリット·ビー·シャルマ;  竹中 裕司;  古田 啓介;  小島 哲夫;  安井 公治
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レーザ装置及びそれを用いたレーザ加工装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001119101A, 申请日期: 2001-04-27, 公开日期: 2001-04-27
发明人:  古田 啓介;  竹中 裕司;  小島 哲夫;  安井 公治
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半導体レ-ザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2568555B2, 申请日期: 1996-10-03, 公开日期: 1997-01-08
发明人:  安井 公治;  田中 正明;  八木 重典
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