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半导体太赫兹相干光源器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1225826C, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2005-11-02
发明人:  陆卫;  江俊;  陈效双;  李宁;  李志锋;  季亚林
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提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1471177A, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  陆卫;  季亚林;  陈效双;  李志锋;  李宁;  陈贵宾;  汤乃云
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