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氮化物半导体装置的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102130425A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
发明人:  大野彰仁;  竹见政义;  山本高裕
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009071341A, 申请日期: 2009-04-02, 公开日期: 2009-04-02
发明人:  大野 彰仁;  蔵本 恭介
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半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101154796A, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2008-04-02
发明人:  大野彰仁;  竹见政义;  富田信之
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半导体元件以及半导体元件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1783525A, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2006-06-07
发明人:  大野彰仁;  竹见政义;  富田信之
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氮化物半導體發光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: TW200845436A, 公开日期: 2008-11-16
发明人:  大野彰仁;  本恭介
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