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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006339311A, 申请日期: 2006-12-14, 公开日期: 2006-12-14
发明人:  大郷 毅
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001024271A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
发明人:  浅野 英樹;  和田 貢;  秋永 富士夫;  山中 英生;  大郷 毅;  笹尾 正典
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