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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3958818B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15
发明人:  岡川 広明;  只友 一行;  大内 洋一郎
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具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1162919C, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2004-08-18
发明人:  只友一行;  宫下启二;  冈川広明;  平松和政;  大内洋一郎;  泽木宣彦;  矢桥胜典;  柴田巧
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GaN系半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999163402A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
发明人:  岡川 広明;  大内 洋一郎;  宮下 啓二;  谷口 浩一;  只友 一行
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III族窒化物発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997129926A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
发明人:  大内 洋一郎;  岡川 広明;  只友 一行;  渡部 信一
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