中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
窒素系III-V族化合物半導体素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997307188A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
发明人:  奧野 八重;  塚田 俊久
Adobe PDF(68Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/30
半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995107945B2, 申请日期: 1995-11-15, 公开日期: 1995-11-15
发明人:  塚田 俊久;  福沢 董
Adobe PDF(19Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/13