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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4284126B2, 申请日期: 2009-03-27, 公开日期: 2009-06-24
发明人:  和田 一彦;  森本 泰司;  宮嵜 啓介;  上田 禎亮;  辰巳 正毅
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009016458A, 申请日期: 2009-01-22, 公开日期: 2009-01-22
发明人:  和田 一彦
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4146153B2, 申请日期: 2008-06-27, 公开日期: 2008-09-03
发明人:  宮嵜 啓介;  和田 一彦;  森本 泰司
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008091769A, 申请日期: 2008-04-17, 公开日期: 2008-04-17
发明人:  和田 一彦
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半导体激光器装置及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1241306C, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08
发明人:  森本泰司;  宫崎启介;  辰巳正毅;  和田一彦;  上田祯亮
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半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
发明人:  和田一彦;  宫嵜启介;  森本泰司;  辰巳正毅;  上田祯亮
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半导体激光器设备及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1501557A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02
发明人:  上田祯亮;  宫嵜启介;  和田一彦;  辰巳正毅;  森本泰司
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半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1455483A, 申请日期: 2003-11-12, 公开日期: 2003-11-12
发明人:  宫嵜启介;  和田一彦;  森本泰司
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