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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3194292B2, 申请日期: 2001-06-01, 公开日期: 2001-07-30
发明人:  橋本 順一;  勝山 造;  吉田 伊知朗
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3149879B2, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-03-26
发明人:  吉田 伊知朗
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マルチビーム半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2953177B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-27
发明人:  吉田 伊知朗;  勝山 造;  橋本 順一
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化合物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2812000B2, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-10-15
发明人:  吉田 伊知朗
Adobe PDF(32Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2812069B2, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-10-15
发明人:  吉田 伊知朗;  勝山 造;  橋本 順一
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半導体レーザの選別方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995079051A, 申请日期: 1995-03-20, 公开日期: 1995-03-20
发明人:  吉田 伊知朗;  勝山 造;  橋本 順一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994350189A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22
发明人:  吉田 伊知朗
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994310808A, 申请日期: 1994-11-04, 公开日期: 1994-11-04
发明人:  吉田 伊知朗;  勝山 造;  橋本 順一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994204613A, 申请日期: 1994-07-22, 公开日期: 1994-07-22
发明人:  吉田 伊知朗;  勝山 造;  橋本 順一
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半導体レーザとその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994077584A, 申请日期: 1994-03-18, 公开日期: 1994-03-18
发明人:  吉田 伊知朗
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