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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3958818B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15
发明人:  岡川 広明;  只友 一行;  大内 洋一郎
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具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1162919C, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2004-08-18
发明人:  只友一行;  宫下启二;  冈川広明;  平松和政;  大内洋一郎;  泽木宣彦;  矢桥胜典;  柴田巧
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p型GaN系半導体の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3341948B2, 申请日期: 2002-08-23, 公开日期: 2002-11-05
发明人:  渡部 信一;  橋本 孝行;  只友 一行
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GaN系半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999163402A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
发明人:  岡川 広明;  大内 洋一郎;  宮下 啓二;  谷口 浩一;  只友 一行
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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2662792B2, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-10-15
发明人:  伊藤 晃;  只友 一行
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III族窒化物発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997129926A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
发明人:  大内 洋一郎;  岡川 広明;  只友 一行;  渡部 信一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996330678A, 申请日期: 1996-12-13, 公开日期: 1996-12-13
发明人:  渡部 信一;  只友 一行
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p型AlGaN系半導体の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996008460A, 申请日期: 1996-01-12, 公开日期: 1996-01-12
发明人:  渡部 信一;  岡川 広明;  只友 一行
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半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995273367A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
发明人:  只友 一行;  岡川 広明;  渡部 信一;  平松 和政
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ZnSeを有する半導体材料 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993037019A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
发明人:  渡部 信一;  只友 一行
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