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化合物半导体发光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1618133A, 申请日期: 2005-05-18, 公开日期: 2005-05-18
发明人:  口野启史;  八木克己
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999284276A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
发明人:  八木 克己;  池上 隆俊;  山本 裕記
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半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2920279B2, 申请日期: 1999-04-30, 公开日期: 1999-07-19
发明人:  八木 克己;  畑 雅幸
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半導体発光素子および発光ランプ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998270754A, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-10-09
发明人:  八木 克己;  上田 康博
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2708744B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
发明人:  八木 克己
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996064910A, 申请日期: 1996-03-08, 公开日期: 1996-03-08
发明人:  八木 克己;  狩野 隆司
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996008390B2, 申请日期: 1996-01-29, 公开日期: 1996-01-29
发明人:  八木 克己;  庄野 昌幸;  小林 俊一
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1996004182B2, 申请日期: 1996-01-17, 公开日期: 1996-01-17
发明人:  八木 克己
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995022213B2, 申请日期: 1995-03-08, 公开日期: 1995-03-08
发明人:  八木 克己
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発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993082895A, 申请日期: 1993-04-02, 公开日期: 1993-04-02
发明人:  八木 克己
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