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02-08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101505034B, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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02－08微米波段InGaAs/GaAs量子点外延结构及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100511734C, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1925174A, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2007-03-07
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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