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半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009130245A, 申请日期: 2009-06-11, 公开日期: 2009-06-11
发明人:  中西 寿美代;  三宅 輝明;  中島 健二;  河本 清時;  岩本 学;  長尾 泰志
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008258341A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23
发明人:  河本 清時;  三宅 輝明;  中島 健二;  岩本 学;  長尾 泰志;  宮田 譲;  中西 寿美代
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半導体レーザ素子の形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008186828A, 申请日期: 2008-08-14, 公开日期: 2008-08-14
发明人:  中西 寿美代;  三宅 輝明;  中島 健二;  岩本 学;  河本 清時;  長尾 泰志;  宮田 譲
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007103403A, 申请日期: 2007-04-19, 公开日期: 2007-04-19
发明人:  内田 陽三;  中島 健二;  口野 啓史;  河本 清時;  中西 寿美代
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半導体レーザ及びその製造方法。 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006351784A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  内田 陽三;  中島 健二;  河本 清時;  口野 啓史;  中西 寿美代
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