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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3080889B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28
发明人:  中村 隆宏
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999307862A, 申请日期: 1999-11-05, 公开日期: 1999-11-05
发明人:  中村 隆宏
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2950028B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20
发明人:  中村 隆宏;  寺門 知二
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2917695B2, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-07-12
发明人:  中村 隆宏
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高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2780337B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30
发明人:  中村 隆宏
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2776375B2, 申请日期: 1998-05-01, 公开日期: 1998-07-16
发明人:  中村 隆宏
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半導体光アイソレータ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997129980A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16
发明人:  中村 隆宏
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歪多重量子井戸半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997092925A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04
发明人:  中村 隆宏
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高抵抗半導体層埋め込み型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2550714B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-06
发明人:  中村 隆宏;  北村 光弘;  麻多 進
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光非相反回路 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996190027A, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23
发明人:  中村 隆宏;  鳥飼 俊敬
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