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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009194304A, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27
发明人:  中村 淳一
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半导体制造方法及半导体激光元件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100511590C, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
发明人:  山本圭;  中村淳一
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化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100347821C, 申请日期: 2007-11-07, 公开日期: 2007-11-07
发明人:  中村淳一;  佐佐木和明
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3653408B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
发明人:  佐々木 和明;  中村 淳一;  大山 尚一
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
发明人:  細羽 弘之;  中村 淳一;  中津 弘志;  倉橋 孝尚;  村上 哲朗
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化合物半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998163524A, 公开日期: 1998-06-19
发明人:  細羽 弘之;  中村 淳一;  倉橋 孝尚
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