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氮化物半导体激光器以及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦;  中岛博
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氮化物半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦;  中岛博;  风田川统之
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氮化物半导体激光器及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014
发明人:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦;  中岛博
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氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18
发明人:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博
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氮化物半导体生长工艺 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1402306A, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2003-03-12
发明人:  簗嶋克典;  中岛博
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