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Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101432850A, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 2009-05-13
发明人:  上田和正;  西川直宏;  笠原健司
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