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近接場光出射素子、光ヘッド、および近接場光出射素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4399328B2, 申请日期: 2009-10-30, 公开日期: 2010-01-13
发明人:  上柳 喜一;  納谷 昌之;  都丸 雄一
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光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001325756A, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
发明人:  上柳 喜一
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半導体レーザ、浮上ヘッドおよびディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001326420A, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
发明人:  上柳 喜一
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半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001250251A, 申请日期: 2001-09-14, 公开日期: 2001-09-14
发明人:  上柳 喜一
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半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001244564A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07
发明人:  上柳 喜一
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光ヘッドおよび光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001189031A, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10
发明人:  上柳 喜一
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プロジェクタ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998301201A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
发明人:  上柳 喜一;  友野 孝夫;  小笠原 康裕
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マルチビーム半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2841428B2, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-12-24
发明人:  瀬古 保次;  上柳 喜一;  中山 秀生;  福永 秀樹
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マルチビーム半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2819593B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
发明人:  瀬古 保次;  上柳 喜一;  中山 秀生;  福永 秀樹
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994260718A, 申请日期: 1994-09-16, 公开日期: 1994-09-16
发明人:  中山 秀生;  植木 伸明;  福永 秀樹;  瀬古 保次;  乙間 広己;  上柳 喜一
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