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単一のELOG成長により形成される横方向のp-n接合を有する窒化物半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352133A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  デイビッド·ボーア;  スコット·ダブリュー·コーザイン
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