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一种超短腔半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100377452C, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2008-03-26
发明人:  蒋伟;  刘凯;  张彦伟;  孙夕庆
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垂直腔面发射半导体激光二极管的外延结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100377456C, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2008-03-26
发明人:  蒋伟;  刘凯;  张彦伟;  孙夕庆
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一种防止垂直腔面发射半导体激光器在湿法氧化时开裂的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1851992A, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25
发明人:  蒋伟;  刘凯;  张彦伟;  孙夕庆
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