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一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103779786A, 申请日期: 2014-05-07, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  马淑芳;  许并社;  李学敏;  韩蕊蕊;  田海军;  吴小强
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一种半导体激光器外延片及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103715605A, 申请日期: 2014-04-09, 公开日期: 2014-04-09
发明人:  许并社;  李学敏;  马淑芳;  田海军;  吴小强
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