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一种长波长锑化物半导体激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102208757B, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  李占国;  尤明慧;  刘国军;  高欣;  李林;  李辉;  芦鹏;  王勇;  邹永刚;  乔忠良;  李梅;  曲轶;  薄报学
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半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102354662A, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15
发明人:  李再金;  芦鹏;  李特;  王勇;  乔忠良;  张斯钰;  李辉;  曲轶;  高欣;  李占国;  李林;  魏志鹏;  邹永刚;  薄报学;  刘国军
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