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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100349338C, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2007-11-14
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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