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半導体素子の封止構造 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3277736B2, 申请日期: 2002-02-15, 公开日期: 2002-04-22
发明人:  根本 和彦;  松田 修;  小林 俊雅;  土居 正人
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3277711B2, 申请日期: 2002-02-15, 公开日期: 2002-04-22
发明人:  丸谷 幸利;  小林 俊雅;  近藤 憲治;  根本 和彦;  樋口 慶信
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