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Method of fabricating a high power semiconductor laser with self-aligned ion implantation 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6165811, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
发明人:  LEE, JUNG KEE;  PARK, KYUNG HYUN;  CHO, HO SUNG;  NAM, EUN SOO;  JANG, DONG HOON
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