中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Semiconductor light-emitting diode having a p-type semiconductor layer formed on a light-emitting layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5998810, 申请日期: 1999-12-07, 公开日期: 1999-12-07
发明人:  HATANO, AKO;  OHBA, YASUO;  FUJIMOTO, HIDETOSHI;  ITAYA, KAZUHIKO;  NISHIO, JOHJI
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/26