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Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5213998, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25
发明人:  QIU, JUN;  CHENG, HWA;  HAASE, MICHAEL A.;  DEPUYDT, JAMES M.
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