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一种高功率半导体激光器系统 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN204088872U, 申请日期: 2015-01-07, 公开日期: 2015-01-07
发明人:  张普;  刘兴胜;  熊玲玲;  王贞福;  聂志强
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一种高功率半导体激光器系统及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104184044A, 申请日期: 2014-12-03, 公开日期: 2014-12-03
发明人:  张普;  刘兴胜;  熊玲玲;  王贞福;  聂志强
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多量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202712685U, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  张普;  刘兴胜;  熊玲玲;  王贞福;  刘晖;  聂志强
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多量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202712685U, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  张普;  刘兴胜;  熊玲玲;  王贞福;  刘晖;  聂志强
Adobe PDF(602Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
多量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102801108A, 申请日期: 2012-11-28, 公开日期: 2012-11-28
发明人:  张普;  刘兴胜;  熊玲玲;  王贞福;  刘晖;  聂志强
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