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采用2D材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109980061A, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人:  王晓靁;  刘家桓;  宋高梅
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