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半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009283778A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  若林 和弥;  長沼 香;  今西 大介
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009283573A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  好田 慎一
Adobe PDF(506Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2020/01/13
窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009277844A, 申请日期: 2009-11-26, 公开日期: 2009-11-26
发明人:  中川 大輔
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半導体をその基板から分離する方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009270200A, 申请日期: 2009-11-19, 公开日期: 2009-11-19
发明人:  リン ウェンユィ;  ホアン シウチョン;  トゥ ポーミン;  スゥ チウポン;  チャン シウスーウン
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発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009238848A, 申请日期: 2009-10-15, 公开日期: 2009-10-15
发明人:  金子 剛;  武田 高司
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発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009238847A, 申请日期: 2009-10-15, 公开日期: 2009-10-15
发明人:  金子 剛;  武田 高司
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半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009088230A, 申请日期: 2009-04-23, 公开日期: 2009-04-23
发明人:  品川 達志;  石井 宏辰;  粕川 秋彦
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MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
发明人:  BOUSQUET, VALERIE;  HOOPER, STEWART EDWARD;  BARNES, JENNIFER MARY;  JOHNSON, KATHERINE L.;  HEFFERNAN, JONATHAN
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Method of manufacturing an ultraviolet light emitting AlGaN composition and ultraviolet light emitting device containing same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7498182, 申请日期: 2009-03-03, 公开日期: 2009-03-03
发明人:  SAMPATH, ANAND VENKTESH;  COLLINS, CHARLES J.;  GARRETT, GREGORY ALAN;  SHEN, PAUL HONGEN;  WRABACK, MICHAEL
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반도체 디바이스, 이를 포함하는 장치 및 반도체 디바이스의 형성 방법 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1020090012209A, 申请日期: 2009-02-02, 公开日期: 2009-02-02
发明人:  FREUND, JOSEPH MICHAEL
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