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多量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102801108A, 申请日期: 2012-11-28, 公开日期: 2012-11-28
发明人:  张普;  刘兴胜;  熊玲玲;  王贞福;  刘晖;  聂志强
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