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晶锭剥离方法及晶锭剥离装置
王宏建; 赵卫; 杨涛; 何自坚; 王自
2022-03-04
专利权人松山湖材料实验室 ; 中国科学院西安光学精密机械研究所
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序2
摘要本申请实施例提供一种晶锭剥离方法及晶锭剥离装置,属于半导体衬底制备技术领域。晶锭剥离方法包括:将激光束聚焦于位于磁流变液中的晶锭内预设深度处,通过激光束完成对晶锭的预设深度处的预设剥离面的扫描加工,以使预设剥离面处形成改质层。对磁流变液施加磁场,使得磁流变液相对晶锭运动以磨抛并去除改质层。晶锭剥离装置用于进行晶锭剥离方法。激光剥离的过程中能够实现磨抛,在有效改善剥离表面质量的情况下,能够提高加工效率。
专利号CN202011237230.1
语种中文
专利状态授权
公开(公告)号CN112404735A;CN112404735B
IPC 分类号B23K26/352 ; B24B1/00 ; B23K26/70 ; H01L21/67
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/96917
专题瞬态光学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
王宏建,赵卫,杨涛,等. 晶锭剥离方法及晶锭剥离装置. CN202011237230.1[P]. 2022-03-04.
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晶锭剥离方法及晶锭剥离装置.pdf(724KB)专利 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
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