| 一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机 | |
张伟刚; 郑小霞 ; 余建成; 李刚; 寇经纬; 眭越; 田新锋
| |
| 2021-03-19 | |
| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 本实用新型公开了一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机。旨在解决现有技术中存在的远场CMOS相机在真空环境下，其内部的CMOS传感器工作温度接近70度，容易导致远场CMOS相机整机性能严重恶化的技术问题，本实用新型包括机身和前盖板，以及在机身和前盖板之间形成的安装腔，安装腔内设有与前盖板平行的CMOS板，CMOS板上设有CMOS传感器和多个元器件；还包括设置于安装腔内且位于前盖板与CMOS板之间的导热垫；导热垫上设有让位孔；CMOS传感器安装于CMOS板上靠近导热垫的一侧，且位于让位孔内，元器件安装于CMOS板上远离导热垫的一侧，使得导热垫靠近CMOS板的一侧与CMOS板紧贴；导热垫靠近前盖板的一侧与前盖板紧贴。 |
| 专利号 | CN202021459796.4 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 授权 |
| 公开（公告）号 | CN212752385U |
| IPC 分类号 | H04N5/374 ; H04N5/225 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/96905 |
| 专题 | 先进光学仪器研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张伟刚,郑小霞,余建成,等. 一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS相机. CN202021459796.4[P]. 2021-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种用于真空环境的高功率激光远场CMOS（325KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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