| 一种感应读出的异层结构位敏阳极及其制作方法 | |
刘永安 ; 盛立志; 苏桐; 刘哲; 赵宝升; 田进寿
| |
| 2019-12-17 | |
| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2020-05-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 本发明提供了一种感应读出的异层结构位敏阳极及其制作方法，解决现有位敏阳极加工需要采用高精度的微电子工艺或激光刻蚀设备，加工周期和加工成本均较高的问题。其中位敏阳极包括阳极基底、W电极、S电极及Z电极，所述W电极和S电极位于同一个平面层，且位于阳极基底的顶层；所述Z电极位于另外一个平面层，且位于阳极基底的底层。将三个电极分别位于两个不同的平面层，降低了对制作设备和制作工艺的要求，大大简化了位敏阳极的制作难度，缩短了位敏阳极的制作周期；增加了电极间绝缘沟道的宽度，避免了两个电极间绝缘沟道过窄，降低了两电极间导通的风险，提高了探测器的可靠性。 |
| 申请日期 | 2019-12-17 |
| 专利号 | CN201911301063.X |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201911301063.X |
| 公开（公告）号 | CN111089655A |
| IPC 分类号 | G01J11/00 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93997 |
| 专题 | 光电子学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘永安,盛立志,苏桐,等. 一种感应读出的异层结构位敏阳极及其制作方法. CN201911301063.X[P]. 2019-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种感应读出的异层结构位敏阳极及其制作方（592KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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