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X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅
闫欣; 高贵龙; 何凯; 汪韬; 田进寿; 钟梓源; 尹飞; 李少辉; 辛丽伟; 刘虎林
2020-07-31
专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期2020-07-31
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序1
摘要

本发明属于超快诊断领域,提供了一种X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅,解决现有工艺制备的调制光栅,其金属层较薄,难以制备高深宽比的光栅,不能很好实现对X射线阻挡作用的问题,该方法包括以下步骤:步骤一、以全光固体超快探测芯片外延片的外延面作为光栅材料的衬底,选择合适的光栅材料,所述光栅材料为能有效吸收X射线的金属材料;步骤二、在衬底上制备导电的金属模块,形成种子层;步骤三、在种子层上制备胶膜,采用SU‑8胶进行光刻,形成胶光栅结构;步骤四、对制备有胶光栅结构的衬底进行微电镀,形成金属光栅结构;步骤五、去除SU‑8胶,获得金属光栅。

申请日期2019-02-28
专利号CN201910150687.X
语种中文
专利状态授权
申请号CN201910150687.X
公开(公告)号CN109827981B
IPC 分类号G01N23/20008
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93857
专题条纹相机工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
闫欣,高贵龙,何凯,等. X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备方法及光栅. CN201910150687.X[P]. 2020-07-31.
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X射线全光固体超快探测芯片调制光栅的制备(426KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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