OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法
其他题名掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法
丁雨憧; 赵广军; 董勤; 陈建玉
2011-09-14
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2011-09-14
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法,该晶体的分子式为:(ErxLu1-x)2SiO5,其中x的取值范围为0.005~0.01。采用熔体法生长掺铒硅酸镥激光晶体。本发明掺铒硅酸镥激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管和铒光纤激光器作为泵浦光源,并具有大的发射带宽,有利于实现宽的波长调谐。
其他摘要一种掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法,该晶体的分子式为:(ErxLu1-x)2SiO5,其中x的取值范围为0.005~0.01。采用熔体法生长掺铒硅酸镥激光晶体。本发明掺铒硅酸镥激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管和铒光纤激光器作为泵浦光源,并具有大的发射带宽,有利于实现宽的波长调谐。
申请日期2011-03-23
专利号CN102181931A
专利状态失效
申请号CN201110071323.6
公开(公告)号CN102181931A
IPC 分类号C30B29/34 | C30B15/00 | C30B11/00
专利代理人张泽纯
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93148
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
丁雨憧,赵广军,董勤,等. 掺铒硅酸镥激光晶体及其制备方法. CN102181931A[P]. 2011-09-14.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN102181931A.PDF(280KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[丁雨憧]的文章
[赵广军]的文章
[董勤]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[丁雨憧]的文章
[赵广军]的文章
[董勤]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[丁雨憧]的文章
[赵广军]的文章
[董勤]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。