一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器
其他题名	一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器
	郭霞; 韩明夫
	2013-11-27
专利权人	北京工业大学
公开日期	2013-11-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器。一种单横模偏振稳定输出的垂直腔面发射激光器，包括下电极，衬底，下布拉格反射镜，相位匹配层，增益区，相位匹配层，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜，SiO2钝化层，上电极；其特征在于，电流限制孔为各向异性，在[011]、[0‐11]两晶向上的直径比值大于5，且最大直径小于4μm。通过控制电流限制孔尺寸控制器件单横模工作；由各向异性电流限制孔对不同偏振光散射损耗的差异实现对激光器输出光偏振态的调控。本发明可以在全电流范围内实现较高的边模抑制比和偏振抑制比，且所用工艺为传统垂直腔面发射激光器制作工艺，制作成本低，可操作性强，可重复性好。
其他摘要	本发明涉及一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器。一种单横模偏振稳定输出的垂直腔面发射激光器，包括下电极，衬底，下布拉格反射镜，相位匹配层，增益区，相位匹配层，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜，SiO2钝化层，上电极；其特征在于，电流限制孔为各向异性，在[011]、[0‐11]两晶向上的直径比值大于5，且最大直径小于4μm。通过控制电流限制孔尺寸控制器件单横模工作；由各向异性电流限制孔对不同偏振光散射损耗的差异实现对激光器输出光偏振态的调控。本发明可以在全电流范围内实现较高的边模抑制比和偏振抑制比，且所用工艺为传统垂直腔面发射激光器制作工艺，制作成本低，可操作性强，可重复性好。
申请日期	2013-07-13
专利号	CN103414105A
专利状态	失效
申请号	CN201310302249.3
公开（公告）号	CN103414105A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/065
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93147
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郭霞,韩明夫. 一种单横模偏振稳定的垂直腔面发射激光器. CN103414105A[P]. 2013-11-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103414105A.PDF（560KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文