半导体激光器及其制备方法

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	半导体激光器及其制备方法
其他题名	半导体激光器及其制备方法
	周坤; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
	2016-07-20
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2016-07-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器，包括叠层设置的N型氮化镓层、N型铝镓氮层、N型铟镓氮层、多量子阱结构层、P型铟镓氮层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，其中，多量子阱结构层中的多个铟镓氮垒层具有倾斜量子垒结构，即在多个铟镓氮垒层中，沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向，多个铟镓氮垒层中铟的摩尔含量递减。该半导体激光器的制备方法为在生长多量子阱结构层的过程中，通过调节外延生长参数，使得在多量子阱结构层中，沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向，多个铟镓氮垒层中铟的摩尔含量递减。本发明通过设置倾斜量子垒结构，减小了极化效应，降低了空穴迁移的势垒，减少了电子的泄露，从而降低激射阈值电流密度。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器，包括叠层设置的N型氮化镓层、N型铝镓氮层、N型铟镓氮层、多量子阱结构层、P型铟镓氮层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层，其中，多量子阱结构层中的多个铟镓氮垒层具有倾斜量子垒结构，即在多个铟镓氮垒层中，沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向，多个铟镓氮垒层中铟的摩尔含量递减。该半导体激光器的制备方法为在生长多量子阱结构层的过程中，通过调节外延生长参数，使得在多量子阱结构层中，沿着由P型氮化镓层指向N型氮化镓层的方向，多个铟镓氮垒层中铟的摩尔含量递减。本发明通过设置倾斜量子垒结构，减小了极化效应，降低了空穴迁移的势垒，减少了电子的泄露，从而降低激射阈值电流密度。
申请日期	2014-12-18
专利号	CN105790072A
专利状态	申请中
申请号	CN201410797886.7
公开（公告）号	CN105790072A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93071
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周坤,刘建平,张书明,等. 半导体激光器及其制备方法. CN105790072A[P]. 2016-07-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105790072A.PDF（152KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文