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一种半导体激光器
其他题名一种半导体激光器
周坤; 唐淳; 高松信; 马毅; 仁怀瑾; 李弋; 杜维川; 杨小波; 谭昊; 孟慧成; 彭珏; 康俊杰
2017-07-07
专利权人中国工程物理研究院应用电子学研究所
公开日期2017-07-07
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型提供了一种半导体激光器,该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层;该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导,并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜,前腔面蒸镀抗反射膜,然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜,利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合,实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
其他摘要本实用新型提供了一种半导体激光器,该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层;该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导,并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜,前腔面蒸镀抗反射膜,然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜,利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合,实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
申请日期2016-12-30
专利号CN206313285U
专利状态授权
申请号CN201621474905.3
公开(公告)号CN206313285U
IPC 分类号H01S5/125
专利代理人沈强
代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93016
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国工程物理研究院应用电子学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周坤,唐淳,高松信,等. 一种半导体激光器. CN206313285U[P]. 2017-07-07.
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CN206313285U.PDF(84KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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