面发光型半导体激光管及其制造方法

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	面发光型半导体激光管及其制造方法
其他题名	面发光型半导体激光管及其制造方法
	前田修; 汐先政贵; 山口典彦; 山内义则
	2009-06-24
专利权人	索尼株式会社
公开日期	2009-06-24
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。
其他摘要	提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。
申请日期	2007-06-04
专利号	CN101467314A
专利状态	授权
申请号	CN200780021136.9
公开（公告）号	CN101467314A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	彭久云
代理机构	北京市柳沈律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93000
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	前田修,汐先政贵,山口典彦,等. 面发光型半导体激光管及其制造方法. CN101467314A[P]. 2009-06-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101467314A.PDF（2324KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文