一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器

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	一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器
其他题名	一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器
	汤学胜; 陈义宗; 钱坤; 胡毅; 曹薇; 焰烽; 马卫东
	2017-05-31
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器，其采用混合集成方案，使用低成本低损耗的硅基微环波导芯片作为外腔中波长调节单元，与III‑V族反射型半导体增益管芯通过两个准直透镜实现端面耦合，结构简单，克服了单片集成半导体激光器复杂的工艺限制，外腔中无活动部件，有效地提高了可靠性和稳定性。通过对硅基微环波导芯片结构的优化设计，大大降低了激光在硅基波导微环谐振腔中非线性光学效应产生机率，提高了该结构激光器允许输出的最大光功率。外腔准直光路中带通滤波器的加入，有效地降低了对硅基微环波导芯片的技术要求，可提高耦合封装的效率、适合于低成本批量生产。
其他摘要	本发明涉及一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器，其采用混合集成方案，使用低成本低损耗的硅基微环波导芯片作为外腔中波长调节单元，与III‑V族反射型半导体增益管芯通过两个准直透镜实现端面耦合，结构简单，克服了单片集成半导体激光器复杂的工艺限制，外腔中无活动部件，有效地提高了可靠性和稳定性。通过对硅基微环波导芯片结构的优化设计，大大降低了激光在硅基波导微环谐振腔中非线性光学效应产生机率，提高了该结构激光器允许输出的最大光功率。外腔准直光路中带通滤波器的加入，有效地降低了对硅基微环波导芯片的技术要求，可提高耦合封装的效率、适合于低成本批量生产。
申请日期	2016-11-30
专利号	CN106785882A
专利状态	申请中
申请号	CN201611077804.7
公开（公告）号	CN106785882A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/06 \| H01S5/14
专利代理人	杨文录
代理机构	北京天奇智新知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92909
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	汤学胜,陈义宗,钱坤,等. 一种高功率双端口输出的硅基可调谐外腔激光器. CN106785882A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785882A.PDF（191KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文