一种集成生长与测量的分子束外延生长系统

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种集成生长与测量的分子束外延生长系统
其他题名	一种集成生长与测量的分子束外延生长系统
	徐永兵; 黄大威; 吴竞; 何亮; 刘文卿; 陆显扬; 张晓倩
	2017-05-31
专利权人	南京大学
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。
其他摘要	集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。
申请日期	2017-01-04
专利号	CN106769889A
专利状态	申请中
申请号	CN201710004428.7
公开（公告）号	CN106769889A
IPC 分类号	G01N21/21 \| G01N21/01
专利代理人	陈建和
代理机构	南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92860
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐永兵,黄大威,吴竞,等. 一种集成生长与测量的分子束外延生长系统. CN106769889A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106769889A.PDF（86KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文