Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaN复合衬底制备方法 | |
| 其他题名 | 一种GaN复合衬底制备方法 |
| 甘志银; 刘胜; 严晗; 汪沛; 吕强 | |
| 2016-06-29 | |
| 专利权人 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 |
| 公开日期 | 2016-06-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法高速生长氮化镓（GaN）制作复合衬底制备方法，并通过在蓝宝石衬底上生长低温和高温GaN薄膜交替层，对生长完毕的交替层进行高温热处理，随后通过高速外延生长较厚GaN薄膜，能提高晶体质量，获得低缺陷密度的GaN复合衬底。本发明提供的GaN复合衬底制备方法能够显著降低GaN外延薄膜材料的缺陷密度，提高在此基底上后续外延的蓝光LED和蓝光半导体激光器的晶体质量，从而有效提高光电半导体器件的性能。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法高速生长氮化镓（GaN）制作复合衬底制备方法，并通过在蓝宝石衬底上生长低温和高温GaN薄膜交替层，对生长完毕的交替层进行高温热处理，随后通过高速外延生长较厚GaN薄膜，能提高晶体质量，获得低缺陷密度的GaN复合衬底。本发明提供的GaN复合衬底制备方法能够显著降低GaN外延薄膜材料的缺陷密度，提高在此基底上后续外延的蓝光LED和蓝光半导体激光器的晶体质量，从而有效提高光电半导体器件的性能。 |
| 申请日期 | 2014-12-03 |
| 专利号 | CN105719946A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201410722260.X |
| 公开（公告）号 | CN105719946A |
| IPC 分类号 | H01L21/02 | H01L33/00 | H01L33/32 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92796 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 甘志银,刘胜,严晗,等. 一种GaN复合衬底制备方法. CN105719946A[P]. 2016-06-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105719946A.PDF（117KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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